单壁碳纳米管

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单壁碳纳米管,具有优异的电子、机械、力学等性能。
单壁碳纳米管具有优异的电子、机械、力学等性能,尤其是对电子和空穴都具有超高的迁移率,因此,国际半导体路线图委员会2009年确定其为未来最有可能应用的新型器件材料。实现结构和性质可控的制备是单壁碳纳米管应用的基础和关键,然而,经过二十余年的努力,尚未有可能的解决方案,这已经成为碳纳米管研究和应用发展的瓶颈。
李彦课题组十几年来一直致力于单壁碳纳米管的可控生长研究,特别是在催化剂研究方面打下了坚实的基础,形成了自己的特色。基于对碳纳米管生长催化剂性能的深入了解,他们提出了一种利用具有固定结构的催化剂来调控生成的单壁碳纳米管结构的方案。他们发展了一类钨基合金催化剂,这种催化剂纳米粒子具有非常高的熔点,能够在单壁碳纳米管生长的高温环境下保持其晶态结构和形貌。同时,这类催化剂本身具有独特的结构。[1] 
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